该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
特色
- 低阈值装置
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 8.11204 | 8.11204 |
10+ | 7.27187 | 72.71872 |
100+ | 5.66974 | 566.97420 |
500+ | 4.68354 | 2341.77450 |
1000+ | 3.92166 | 3921.66800 |
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该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
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