9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB200N6F3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB200N6F3参考价格$5.51000。STMicroelectronics STB200N6F3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK。您可以下载STB200N6F3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB19NF20是MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有90 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为15 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为160mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为11.5ns，沟道模式为增强型。
STB19NB20带有ST制造的用户指南。STB19NB 20采用11P封装，是IC芯片的一部分。
STB19NB20T4，带有ST制造的电路图。STB19NB 20T4采用TO-263-2封装，是IC芯片的一部分。
STB200N4F3是由ST制造的MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK。STB200F4F3有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH40V 120B D2PAK、N沟道40V 120C（Tc）300W（Tc。
