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VP0109N3-G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 90 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.11952 6.11952
  • 库存: 25
  • 单价: ¥6.11953
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.12
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 最大功耗 1W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-92-3
  • 包装/外壳 至226-3,至92-3(至226AA)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@1毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 25 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 90 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 250毫安(Tj)
  • 导通电阻 Rds(ON) 8欧姆 @ 500毫安, 10V
  • 色彩/颜色 -

VP0109N3-G 产品详情

这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点,该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于各种开关和放大应用,其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

特色

  • 无二次击穿
  • 低功率驱动要求
  • 易于并联
  • 低CISS和快速切换速度
  • 优异的热稳定性
  • 集成源漏二极管
  • 高输入阻抗和高增益
VP0109N3-G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),VP0109N3-G 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。VP0109N3-G价格参考¥6.119526,你可以下载 VP0109N3-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询VP0109N3-G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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