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BSB013NE2LXIXUMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 163A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta),57W(Tc) 供应商设备包装: MG-WDSON-2,CanPAK M 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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1+ 16.37837 16.37837
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 部件状态 上次购买
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 MG-WDSON-2,CanPAK M
  • 包装/外壳 3-dson
  • 最大功耗 2.8W(Ta),57W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 36A (Ta), 163A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.3毫欧姆@30A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4400 pF @ 12 V
  • 色彩/颜色 -

BSB013NE2LXIXUMA1 产品详情

使用OptiMOS™ 25V产品系列,英飞凌为分立功率MOSFET和封装系统设定了功率密度和能效方面的新标准。超低的栅极和输出电荷,以及小封装中最低的导通电阻,使OptiMOS™ 25V是服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案苛刻要求的最佳选择。提供半桥配置(功率级5x6)。

特色

  • 通过减少多相转换器中的相数,节省整体系统成本
  • 在所有负载条件下降低功耗并提高效率
  • 使用像CanPAK这样的最小包装节省空间™, S3O8或成套系统解决方案
  • 最小化系统中的EMI,使外部缓冲网络过时,产品易于设计

应用

  • 车载充电器
  • 主板
  • 笔记本
  • 直流-直流
  • VRD/VRM
  • 发光二极管
  • 电机控制
BSB013NE2LXIXUMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSB013NE2LXIXUMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSB013NE2LXIXUMA1价格参考¥16.378370,你可以下载 BSB013NE2LXIXUMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSB013NE2LXIXUMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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