该器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求最高的高效率转换器。
特色
- 极低门电荷
- 卓越的输出容量(COSS)曲线
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 19.19368 | 19.19368 |
10+ | 17.26707 | 172.67074 |
100+ | 13.88174 | 1388.17420 |
500+ | 11.40496 | 5702.48000 |
1000+ | 10.36821 | 10368.21100 |
3000+ | 10.36821 | 31104.63300 |
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该器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求最高的高效率转换器。
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