9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2302DDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2302DDS-T1-GE3参考价格为0.52000美元。Vishay Siliconix SI2302DDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3。您可以下载SI2302DDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2302CDS-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2302CDS GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为710mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为57 mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为850mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.5nC@4.5V，Pd功耗为710 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为7纳秒，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds导通-漏极电阻为57毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30 ns，并且典型的开启延迟时间是8ns，并且信道模式是增强。
带有用户指南的Si2302DDS-T1-GE3，包括0.85 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为8 ns，以及30 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为SI2302DDS，上升时间为7ns，漏极-源极电阻Rds为57mOhms，Qg栅极电荷为3.5nC，Pd功耗为710mW，封装为Reel，封装盒为SOT-23-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.9 A，正向跨导最小值为13 S，下降时间为7 ns，信道模式为增强型。
SI2302COV，电路图由RICHTEK制造。SI2302COV采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
SI2302DC-T1，带有由SILICONIX制造的EDA/CAD模型。SI2302DC-T1采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
