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SCT2H12NYTB

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 44W (Tc) 供应商设备包装: TO-268 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 42.00882 42.00882
10+ 37.73550 377.35509
100+ 30.91704 3091.70430
400+ 29.33121 11732.48400
800+ 26.31881 21055.05200
  • 库存: 4
  • 单价: ¥42.00882
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥42.01
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1700伏
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 包装/外壳 至268-3,DPak(2根引线+接线片),TO-268AA
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 18伏
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +22V、-6V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Tc)
  • 最大功耗 44W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 410A
  • 供应商设备包装 TO-268
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@1.1A,18V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC @ 18 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 184 pF@800 V

SCT2H12NYTB 产品详情

1700V 4A N沟道SiC(碳化硅)功率MOSFET。

特色

  • 低导通电阻
  • 快速切换速度
  • 无中心导线的长爬电距离
  • 易于驾驶
  • 无铅铅镀层;符合RoHS
SCT2H12NYTB所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SCT2H12NYTB 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SCT2H12NYTB价格参考¥42.008820,你可以下载 SCT2H12NYTB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SCT2H12NYTB规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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