9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB19NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB19NM65N的参考价格为5.83000美元。STMicroelectronics STB19NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK。您可以下载STB19NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB18NM80是MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK，包括MDmesh？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件在D2PAK供应商器件包中提供，该器件具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为190W，漏极到源极电压Vdss为800V，输入电容Ciss Vds为2070pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为17A（Tc），Rds On Max Id Vgs为295 mOhm@8.5A，10V，Vgs th Max Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为70nC@10V，Pd功耗为190 W，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Rds On Drain Source电阻为295 m欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为70 nC。
STB19NF20是MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件的上升时间为22纳秒，漏极电阻Rds为160毫欧，Pd功耗为90瓦，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为15 A，下降时间为11 ns，配置为单一，通道模式为增强。
STB19NB20带有ST制造的电路图。STB19NB 20采用11P封装，是IC芯片的一部分。
STB19NB20T4带有ST制造的EDA/CAD模型。STB19NB 20T4采用TO-263-2封装，是IC芯片的一部分。
