9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4842BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4842BDY-T1-GE3价格参考2.56000美元。Vishay Siliconix SI4842BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 28A 8SO。您可以下载SI4842BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI4842BDY-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI4842BDY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4842BDY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOIC窄8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为6.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为190 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为28A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为4.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为125ns，沟道模式为增强。
SI4842B带有SI制造的用户指南。SI4842B在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单体。
SI4842BDY，带有SI制造的电路图。SI4842BY可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
SI4842BDY-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4842BDY-T1在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
