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STW21NM60ND

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 43.45740 43.45740
10+ 39.24203 392.42032
100+ 32.48875 3248.87520
  • 库存: 141
  • 单价: ¥43.45740
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥43.46
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 17A(Tc)
  • 最大功耗 140W(Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1800 pF@50 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 220毫欧姆@8.5A,10V
  • 色彩/颜色 -

STW21NM60ND 产品详情

FDmesh™ II系列属于第二代MDmesh™ 技术这种革命性的功率MOSFET将一种新的垂直结构与公司的带状布局相关联,并将降低导通电阻和快速开关的所有优点与固有的快速恢复体二极管相关联。因此,强烈建议在ZVS移相转换器中使用桥式拓扑。

应用
■ 切换应用程序

特色


■ 在快速恢复二极管器件中,全球最好的RDS(on)*区域
■ 100%雪崩测试
■ 低输入电容和栅极电荷
■ 低栅极输入电阻
■ 极高的dv/dt和雪崩能力

STW21NM60ND所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STW21NM60ND 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STW21NM60ND价格参考¥43.457400,你可以下载 STW21NM60ND中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STW21NM60ND规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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