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RSE002N06TL是MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3，包括RSE002N06系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SC-75、SOT-416等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在EMT3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为150mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为15pF@25V，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为250mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为2.4 Ohm@250mA，10V，Vgs最大Id为2.3V@1mA，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为250mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为3.5ns，正向跨导最小值为0.25S，沟道模式为增强。
RSE002P03，用户指南由30000ROHM制造。RSE002P03在SOT-523封装中提供，是FET的一部分-单个。
RSE002P03 TL，带有ROHM制造的电路图。RSE002P03 TL在SOT-523封装中提供，是IC芯片的一部分。
