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IPP60R600E6是MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220,包括CoolMOS E6系列,它们设计用于管式封装,零件别名显示在IPP60R700E6XK IPP60R000E6XKSA1 SP000797630中使用的数据表注释中,该产品提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装样式设计用于通孔,以及CoolMOS商品名,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道数信道,该器件具有1 N信道晶体管型,Pd功耗为63 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为7.3 a,Vds漏极-源极击穿电压为650V,Rds漏极上-源极电阻为540mOhms,晶体管极性为N沟道。
IPP60R600P6是MOSFET LOW POWER_PRC/PRFRM,包括600 V Vds漏极-源极击穿电压,其设计工作单位重量为0.211644 oz。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型,提供晶体管极性特性,如N沟道,该设备也可以用作IPP60R600P6XKSA1 SP001017054部件别名。此外,包装为管式,设备采用TO-220-3包装盒,设备具有1个通道数,安装方式为通孔,Id连续漏电流为100A。
IPP60R600C6是INFINEON制造的MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220。IPP60R600C6采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220。