该器件是基于创新的专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET,该技术与STMicroelectronics著名的PowerMESH水平布局结构相结合。所得到的产品具有极低的导通电阻,这是硅基功率MOSFET中无法比拟的,因此特别适用于需要卓越功率密度和卓越效率的应用。
特色
- 全球最佳RDS(on)*区域
- 更高的VDSSrating和更高的dv/dt能力
- 卓越的切换性能
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 19.62825 | 19.62825 |
10+ | 17.60749 | 176.07490 |
100+ | 14.15335 | 1415.33510 |
500+ | 11.62804 | 5814.02050 |
1000+ | 10.57101 | 10571.01300 |
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该器件是基于创新的专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET,该技术与STMicroelectronics著名的PowerMESH水平布局结构相结合。所得到的产品具有极低的导通电阻,这是硅基功率MOSFET中无法比拟的,因此特别适用于需要卓越功率密度和卓越效率的应用。
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