2SK4100LS-T-MG5

订购号：ENA0782SK4100LS SANYO半导体数据表N沟道硅MOSFET 2SK4100LSFeatures••••通用开关器件应用低导通电阻、低输入电容、超高速开关。采用高可靠性HVP工艺。无云母包装的附着作业性良好。雪崩抗性保证。技术规格Ta=25°C时的绝对最大额定值参数漏极到源极电压栅极到源极的电压漏极电流（DC）漏电流（脉冲）允许功耗信道温度存储温度雪崩能量（单脉冲）*3雪崩电流*4符号VDSS VGSS IDc*1 IDpack*2 IDP PD Tch Tstg EAS IAV仅受最高温度SANYO理想散热限制条件PW≤10µs，占空比≤1%Tc=25°C（SANYO的理想散热条件）条件额定值650±30 6 5.6 24 2.0 33 150–55至+150 105 6单位V V A A W W°C mJ A*1显示ch