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RSJ650N10TL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Ta) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: LPTS 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 46.42698 46.42698
10+ 41.71910 417.19104
100+ 34.17924 3417.92450
500+ 29.09617 14548.08900
1000+ 24.53894 24538.94500
2000+ 23.90157 47803.14000
  • 库存: 702
  • 单价: ¥46.42699
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥46.43
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 最大功耗 100W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 260 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 65A (Ta)
  • 供应商设备包装 LPTS
  • 导通电阻 Rds(ON) 9.1毫欧姆 @ 32.5A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10780 pF @ 25 V
  • 色彩/颜色 -

RSJ650N10TL 产品详情

MOSFET通过适用于低电流消耗移动设备的微处理技术制成超低导通电阻。在广泛的阵容中,包括紧凑型、高功率型和复杂型,以满足市场需求。

特色

  • 4.V-驱动器类型
  • Nch功率MOSFET
  • 快速切换速度
  • 驱动电路可以很简单
  • 并行使用很容易
  • 无铅/符合RoHS


RSJ650N10TL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RSJ650N10TL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RSJ650N10TL价格参考¥46.426989,你可以下载 RSJ650N10TL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RSJ650N10TL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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