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NTBGS1D5N06C

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 267A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 211W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 46.42698 46.42698
10+ 41.71186 417.11861
100+ 34.17489 3417.48990
800+ 29.09219 23273.75520
1600+ 27.88139 44610.23840
  • 库存: 342
  • 单价: ¥46.42699
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥46.43
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 D2PAK (TO-263)
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6条引线+标签)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Ta), 267A (Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏、12伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.55欧姆@64A,12V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 318A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 78.6 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6250 pF @ 30 V
  • 最大功耗 3.7W (Ta), 211W (Tc)
  • 色彩/颜色 不锈钢

NTBGS1D5N06C 产品详情

NTBGS1D5N06C所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTBGS1D5N06C 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTBGS1D5N06C价格参考¥46.426989,你可以下载 NTBGS1D5N06C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTBGS1D5N06C规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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