CSD16322Q5C

规格参数

• 高度（英寸） -
• 长（英寸） -
• 宽（英寸） -
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 制造厂商 德州仪器 (Texas)
• 最大功耗 3.1W（Ta）
• 包装/外壳 8-PowerTDFN
• 漏源电压标 (Vdss) 25伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
• 部件状态 过时的
• 最大栅源极电压 (Vgs) +10伏、-8伏
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 3V, 8V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 21A（Ta）、97A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 5毫欧姆 @ 20A, 8V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12.5伏时为1365 pF
• 供应商设备包装 8-SON
• 色彩/颜色 -