9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP22D6UT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP22D6UT-7参考价格为0.57000美元。Diodes Incorporated DMP22D6UT-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523。您可以下载DMP22D6UT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2240UW-7是MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3，包括DMP22系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SC-70、SOT-323以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-323，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为250mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为320pF@16V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为150 mOhm@2A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为250 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.3 ns，上升时间为10.3纳秒，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为1.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为46.5ns，典型接通延迟时间为12.5ns，沟道模式为增强。
DMP2240UWQ-7，带有用户指南，包括-1V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在12V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.000212盎司，典型开启延迟时间设计为12.5 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联DMP22，上升时间为10.3 ns，漏极源极电阻Rds为134 mOhms，Pd功耗为250 mW，封装为卷轴式，封装盒为SOT-323-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-1.5 A，正向跨导最小值为3.1 S，下降时间为22.2 ns，配置为单一，信道模式为增强。
DMP22D4UFA-7B是MOSFET P-CH 20V 0.33A，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了用于330 mA的连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为X2-DFN0806-3，器件采用卷筒封装，器件具有400mW的Pd功耗，Qg栅极电荷为0.4nC，Rds漏极-源极电阻为5欧姆，系列为DMP22，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，Vds漏极源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极电压为8V，Vgs第栅极-源极端电压为-1V。
