9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7421DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7421DN-T1-GE3参考价格为1.52000美元。Vishay Siliconix SI7421DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8。您可以下载SI7421DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7415DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7415DN-1-GE3中使用的零件别名，该SI7415DN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计为在TrenchFET/PPowerPAK以及PowerPAKR 1212-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 P沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为65mOhm@5.7A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V，Pd功耗为1.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12纳秒，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds导通漏极-漏极电阻为65毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为22纳秒，典型的开启延迟时间为12ns，信道模式为增强。
SI7421DN-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为57 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在PowerPAKR 1212-8供应商器件包中提供，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为13ns，Rds On Max Id Vgs为25mOhm@9.8A，10V，Rds On Drain Source电阻为25mOhms，功率最大值为1.5W，Pd功耗为1.5W。部件别名为SI7421DN-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR 1212-8，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，Id连续漏极电流为6.4A，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为13ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为6.4A（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
SI7415DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7415DP-T1-E3采用QFN1212-8封装，是IC芯片的一部分。
SI7421DN，带有SI制造的EDA/CAD模型。SI7421DN以QFN1212-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
