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FDA16N50LDTU

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Tc) 最大功耗: 205W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PN (L-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.01841 22.01841
10+ 19.76587 197.65874
100+ 16.19295 1619.29520
  • 库存: 2507
  • 单价: ¥22.01842
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.02
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 部件状态 上次购买
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
  • 最大功耗 205W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16.5A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1945 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 380毫欧姆 @ 8.3A, 10V
  • 供应商设备包装 TO-3PN (L-Forming)
  • 包装/外壳 TO-3P-3、SC-65-3(成型引线)
  • 色彩/颜色 -

FDA16N50LDTU 产品详情

UniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET家族。该MOSFET被定制以降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该设备系列适用于开关功率转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视功率、ATX和电子镇流器。

特色

  • RDS(开)=310 mΩ(典型值)@VGS=10 V,ID=8.3 A
  • 低栅极电荷(典型值32 nC)
  • 低铬(典型值20 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS

应用

  • PDP电视
  • 不间断电源
FDA16N50LDTU所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDA16N50LDTU 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDA16N50LDTU价格参考¥22.018416,你可以下载 FDA16N50LDTU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDA16N50LDTU规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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