9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP77N6F6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP77N6F6参考价格为1.52000美元。STMicroelectronics STP77N6F6封装/规格：MOSFET N-CH 60V 77A TO220。您可以下载STP77N6F6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP76NF75是MOSFET N沟道75 V。0095 80A STripFet 2，包括N沟道STripFet系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds漏极源极导通电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强型。
STP75NS04Z是MOSFET N-CH 33V 80A TO-220，包括33 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.011640盎司单位重量下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于16 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如53 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列是N沟道STripFET，该器件的上升时间为248纳秒，该器件具有11 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为110 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为85 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP77N65M5，带有ST制造的电路图。STP77N75M5采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
