TP5335K1-G是一种低阈值增强模式(常关)晶体管,采用先进的垂直DMOS结构和经验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点,该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的广泛开关和放大应用。
特色
- 高输入阻抗和高增益
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低CISS和快速切换速度
- 优异的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 无二次击穿
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 6.66781 | 6.66781 |
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TP5335K1-G是一种低阈值增强模式(常关)晶体管,采用先进的垂直DMOS结构和经验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点,该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的广泛开关和放大应用。
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