9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI24N60M2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI24N60M2参考价格7.02000美元。STMicroelectronics STFI24N60M2封装/规格：MOSFET N CH 600V 18A TO281。您可以下载STFI24N60M2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STFI20NM65N，带引脚细节，包括N通道MDmesh系列，设计用于管封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAKFP-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供30 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为13.5 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为15 A，Vds漏极-源极击穿电压为710V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为270mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为44nC。
带用户指南的STFI20N65M5，包括3 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于650 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及MDmesh商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M5，器件的上升时间为7.5 ns，器件的漏极-源极电阻为160 mOhms，Qg栅极电荷为36 nC，Pd功耗为30 W，封装为管，封装外壳为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为18 A，下降时间为7.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STFI20NK50Z是MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP，包括17A Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1通道，封装盒设计用于I2PAKFP-3，以及管封装，该器件也可以用作40W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为85 nC，该器件提供270 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有串联N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。Vds漏极源极击穿电压为500 V，Vgs栅极-源极电压为30 V。
