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STL36N60M6

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(8x8)高压 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 50.55544 50.55544
10+ 45.65924 456.59242
100+ 37.80359 3780.35920
500+ 33.78798 16893.99200
3000+ 33.78791 101363.73300
  • 库存: 2380
  • 单价: ¥51.13487
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥50.56
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 PowerFlat(8x8)高压
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 25A(Tc)
  • 最大功耗 160W(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.75V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 44.3 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1960 pF@100 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@12.5A,10V
  • 色彩/颜色 -

STL36N60M6 产品详情

N通道MDmesh™ M5系列,STMicroelectronics

MDmesh M5功率MOSFET针对高功率PFC和PWM拓扑进行了优化。主要特征包括每个硅区域的低导通状态损耗和低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑和可靠的硬开关应用,如太阳能转换器、消费品电源和电子照明控制。

特色

  • 极低RDS(打开)
  • 低门电荷和输入
  • 电容,电容
  • 卓越的切换性能
  • 100%雪崩测试
STL36N60M6所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STL36N60M6 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL36N60M6价格参考¥51.134874,你可以下载 STL36N60M6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL36N60M6规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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