NTBG160N120SC1

规格参数

• 长（英寸） -
• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 技术 SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
• 包装/外壳 到263-8，DPak（7引线+接线片），TO-263CA
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 20伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) +25伏、-15伏
• 最大功耗 136W（Tc）
• 供应商设备包装 D2PAK-7
• 导通电阻 Rds(ON) 224毫欧姆@12A，20V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.3V @ 2.5毫安
• 漏源电流 (Id) @ 温度 19.5A（Tc）
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33.8 nC @ 20 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 678 pF @ 800 V
• 色彩/颜色 -