9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP28NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP28NM60ND参考价格$7.10000。STMicroelectronics STP28NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 23A TO220。您可以下载STP28NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STP28NM50N是MOSFET N-CH 500V 21A TO-220，包括MDmesh？II系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为150W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为1735pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为21A（Tc），最大Id Vgs的Rds为158 mOhm@10.5A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为50nC@10V，Pd功耗为90 W，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为52 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs第栅极-源阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为158mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型导通延迟时间为13.6ns，Qg栅极电荷为50nC，正向跨导Min为1.5V。
STP28N60M2为MOSFET N-CH 600V 0.135欧姆（典型值）。22A MDmesh M2，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供0.011640 oz等单位重量特性，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M2，器件提供120 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有37 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为190 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为24 A，配置为单一。
STP28N65M2带有电路图，包括通孔安装型，设计用于to-220-3包装箱，包装如数据表注释所示，用于管，提供MDmesh M2等系列功能，技术设计用于Si，以及0.011640盎司单位重量。
