9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STH360N4F6-2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STH360N4F6-2参考价格为7.21000美元。STMicroelectronics STH360N4F6-2封装/规格：MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2。您可以下载STH360N4F6-2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STH320N4F6-6，带引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-263-7，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为95 ns，上升时间为98 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为200 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为240nC，沟道模式为增强。
STH33N20带有ST制造的用户指南。STH33N2 0采用TO-218封装，是IC芯片的一部分。
STH33N20FI，带有ST制造的电路图。STH33N20FI采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
