9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBC30ASTRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBC30ASTRLPBF参考价格为3.20000美元。Vishay Siliconix IRFBC30ASTRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK。您可以下载IRFBC30ASTRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFBC30APBF是MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供74 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为3.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为9.8ns，沟道模式为增强。
IRFBC30ASPBF是MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如9.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为13 ns，器件的漏极-源极电阻为2.2欧姆，Pd功耗为74 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3.6A，下降时间为12ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFBC30AS是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK。IRFBC30A可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 3.6A D2 Pak，N沟道600V 3.6A（Tc）74W（Tc。
IRFBC30ASTRL是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK。IRFBC30A STRL可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 3.6A D2PAK，N通道600V 3.6A（Tc）74W（Tc，表面安装D2PAK）。
