9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW37N60DM2AG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW37N60DM2AG参考价格为7.21000美元。STMicroelectronics STW37N60DM2AG封装/规格：MOSFET N-CH 600V 28A TO247。您可以下载STW37N60DM2AG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW36NM60ND带有引脚细节，包括N通道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有190 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为61.8 ns，上升时间为53.4 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为29 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为111ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为80.4nC。
带有用户指南的STW37N60DM2AG，包括4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，典型开启延迟时间设计为21.2 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为17 ns，器件的漏极-源极电阻为110 mOhms，Qg栅极电荷为54 nC，Pd功耗为210 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为28A，下降时间为10.7ns，通道模式为增强型。
STW36N55M5是MOSFET N-Ch 550V 0.06 Ohm 33A MDmesh M5 FET，包括单一配置，它们设计用于20.8 a Id连续漏极电流，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1通道，封装外壳设计用于to-247-3，以及管封装，该器件也可以用作190W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为72 nC，器件提供80 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有串联的MDmesh M5，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为1.340411 oz，Vds漏极源极击穿电压为550 V，Vgs栅极-源极电压为25 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为5V。
STW36NM60N是MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm 29A MDmesh II，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供STW36N等系列功能，技术设计用于硅，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作600V Vds漏极-源极击穿电压。此外，Id连续漏极电流为29 A，器件提供210 W Pd功耗，器件具有105 mOhms的Rds漏极源极电阻，单位重量为1.340411 oz，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，其最大工作温度范围为+150 C。
