该器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求最高的高效率转换器。
特色
- 极低门电荷
- 卓越的输出容量(COSS)曲线
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 25.56743 | 25.56743 |
10+ | 22.94550 | 229.45507 |
100+ | 18.79822 | 1879.82230 |
500+ | 16.00289 | 8001.44900 |
1000+ | 15.33684 | 15336.84100 |
3000+ | 15.33684 | 46010.52300 |
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该器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求最高的高效率转换器。
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