9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD85025STR-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD85025STR-E参考价格为84.6832美元。STMicroelectronics PD85025STR-E封装/规格：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF。您可以下载PD85025STR-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD85025S-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.N-Ch Trans，包括PD85025-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管中，包装盒设计用于PowerSO-10RF（直引线），以及Si技术，该设备也可以在870MHz增益下用作15.7dB。此外，输出功率为25W，器件提供79W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1GHz，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，并且晶体管极性是N沟道。
PD85025-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.N-Ch Trans，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作79W Pd功率耗散。此外，封装为管状，该器件采用PowerSO-10RF（成型铅）封装盒，该器件输出功率为25W，工作频率为1GHz，安装方式为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7 a，在870MHz时增益为15.7dB。
PD85025C是RF MOSFET晶体管RF功率转换器。LDMOST系列，在945 MHz增益下包含16 dB，设计用于7 a Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，安装方式设计用于SMD/SMT，以及1 GHz工作频率，该器件还可以用作25 W输出功率。此外，封装外壳为M243，器件采用散装封装，器件具有93 W的Pd功耗，系列为PD85025，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V。
