9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD84010S-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD84010S-E参考价格为41.83美元。STMicroelectronics PD84010S-E封装/规格：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF。您可以下载PD84010S-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PD84010-E是TRANS RF POWER LDMOST N-CH，包括PD84010-D系列，它们设计用于RF功率MOSFET型，封装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管，封装盒设计用于PowerSO-10RF（成型引线）-4以及Si技术，该器件也可在870 MHz增益下使用14.3 dB。此外，输出功率为10W，器件提供95W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1GHz，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为8A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，并且晶体管极性是N沟道。
PD84008-E是RF功率MOSFET晶体管RF功率晶体管LdmoST N通道，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于25 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N通道，技术设计用于Si，以及PD84008-E系列，该器件也可以用作79W Pd功率耗散。此外，封装为管式，该器件采用PowerSO-10RF（成型引线）-4封装盒，该器件输出功率为8W，工作频率为1GHz，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7 a，在870MHz时增益为14.7dB。
PD84008L-E是TRANS RF POWER LDMOST N-CH，在870 MHz增益下包括13 dB，它们设计为在7 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1 GHz工作频率，该设备也可以用作8W输出功率。此外，封装外壳为PowerFLAT（5x5），器件采用卷筒封装，器件具有26.7W的Pd功耗，系列为PD84008L-E，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极电压为15V。
PD84006L-E是RF MOSFET晶体管RF功率传输LDmoST塑料，包括SMD/SMT安装样式，它们设计为使用Si技术操作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供卷轴等封装功能，包装盒设计为在PowerFLAT（5x5）中工作，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，输出功率为6 W，器件提供5 A Id连续漏电流，器件具有31 W的Pd功耗，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs栅极-源极电压为15 V，870 MHz时增益为13 dB，工作频率为1 GHz，其最大工作温度范围为+150 C，其最低工作温度范围为-65℃。
