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ATF-54143-TR1G是IC TRANS E-HEMT 2GHZ SOT-343，包括卷筒封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于SOT-343，提供GaAs等技术特性，配置设计为在单双源以及EpHEMT晶体管类型中工作，该器件也可以用作16.6 dB增益。此外，Pd功耗为725mW，其最大工作温度范围为+150℃，器件的工作频率为2 GHz，Id连续漏极电流为120 mA，Vds漏极-源极击穿电压为5 V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为410 mmho，Vgs栅极-源击穿电压为-5 V至1 V，NF噪声系数为0.5dB，P1dB压缩点为20.4dBm。
ATF-54143-TR2G是RF JFET晶体管晶体管GaAs单电压，包括-5 V至1 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在5 V Vds漏极-源极电压下工作。数据表中显示了用于EpHEMT的晶体管类型，该EpHEMT提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于GaAs，以及725mW Pd功耗，该设备也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SOT-343，器件的压缩点为20.4 dBm P1dB，器件的工作频率为2 GHz，NF噪声系数为0.5 dB，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为120 mA，增益为16.6 dB，正向跨导最小值为410 mmho，配置为单双源。
ATF54143-TR1G，电路图由GP/AVAGO制造。ATF54143-TR1G采用SOT343封装，是RF FET的一部分。
