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IPP86N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP086N10N3GXK IPP086N1 0N3GXKSA1 SP000680840，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为125 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
IPP085N06LG带有INF制造的用户指南。IPP085NO6LG采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
IPP086N10N，带有Infenon制造的电路图。IPP086N10N采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
IPP086N10N3G带有INF/EDA/CAD型号。IPP086N1 0N3G采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
