9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFZ20PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFZ20PBF-BE3价格参考1.99000美元。Vishay Siliconix IRFZ20PBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB。您可以下载IRFZ20PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFZ14PBF是MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供43 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为200mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRFZ14STRLPBF是MOSFET MOSFET N沟道60V，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了多个沟道功能，例如1个沟道。
IRFZ14S是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK。IRFZ14S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH60V 10A D1PAK、N沟道60V 10A（Tc）3.7W（Ta）、43W（Tc。
IRFZ20是由ST制造的MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB。IRFZ20以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH50V 15A TO-220AB、N沟道50V 15A（Tc）40W（Tc）通孔TO-220AA。
