特色
- N通道-增强模式
- AEC合格
- MSL1最高260°C峰值回流
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS）
- 100%雪崩测试
- 60V时的世界最低RDS（开启）
- 最高电流能力
- 最低的开关和传导功率损耗，实现最高的热效率
- 具有卓越质量和可靠性的坚固封装
- 优化的总栅极电荷使驱动器输出级更小
应用
- 阀门控制
- 电磁阀控制
- 照明
- 单端电机
仿真/SPECE模型
IPI45N06S4-09AKSA2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 447
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 447+ | 4.85274 | 2169.17612 |
- 库存: 97500
- 单价: ¥4.85274
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,169.18
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 TO-262-3长引线，我巴基斯坦，TO-262AA
- 供应商设备包装 PG-TO262-3-1
- 漏源电流 (Id) @ 温度 45A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 47 nC @ 10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 34A
- 最大功耗 71W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 9.4毫欧姆 @ 45A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3785 pF @ 25 V
- 色彩/颜色 -
IPI45N06S4-09AKSA2 产品详情
IPI45N06S4-09AKSA2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IPI60R099CP | 英飞凌 (Infineon) | PFET, 31A I(D), 600V, 0.099OHM, | ¥27.52302 |
 | IPI60R380C6 | 英飞凌 (Infineon) | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.97636 |
 | IPI60R199CP | 英飞凌 (Infineon) | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥118.36347 |
 | IPI60R190C6 | 英飞凌 (Infineon) | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥11.15407 |
 | IPI60R165CP | 英飞凌 (Infineon) | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥17.16567 |
 | IPI80P04P405AKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.9976 |
| IPI90R1K2C3 | 英飞凌 (Infineon) | ¥9.65189 | |
| IPI90R340C3 | 英飞凌 (Infineon) | ¥34.30889 | |
| IPI70N10SL-16 | 英飞凌 (Infineon) | ¥19.30378 | |
| IPI65R190C6 | 英飞凌 (Infineon) | ¥29.10704 |
IPI45N06S4-09AKSA2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IPI45N06S4-09AKSA2 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IPI45N06S4-09AKSA2价格参考￥4.852743，你可以下载 IPI45N06S4-09AKSA2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IPI45N06S4-09AKSA2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
