这些非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用基于创新的专有垂直结构的MDmesh K5技术设计的。其结果是大大降低了应用的导通电阻和超低栅极电荷。产品状态链路需要卓越的功率密度和高效率。
特色
- DPAK950V全球最佳RDS(打开)
- 全球最佳FOM(绩效指标)
- 超低门电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 16.44138 | 16.44138 |
10+ | 14.73930 | 147.39302 |
100+ | 11.84866 | 1184.86600 |
500+ | 9.73474 | 4867.37350 |
1000+ | 8.84973 | 8849.73700 |
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这些非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用基于创新的专有垂直结构的MDmesh K5技术设计的。其结果是大大降低了应用的导通电阻和超低栅极电荷。产品状态链路需要卓越的功率密度和高效率。
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