9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP555N08NF2SAKMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP555N08NF2SAKMA1参考价格为2.24000美元。英飞凌科技IPP555N08NF2SAKMA1包装/规格：TRENCH 40<-<100V。您可以下载IPP555N08NF2SAKMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPP555N08NF2SAKMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPP83N10N5AKSA1带有管脚细节，包括管包装，它们设计用于IPP83N20N5 SP001226036零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有100 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏电流为73 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为30nC，正向跨导最小值为48S，沟道模式为增强。
IPP084N06L3 G是MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为37 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有IPP084N06系列，上升时间为26 ns，漏极电阻Rds为8.4 mOhms，Pd功耗为79 W，部件别名为IPP084N6L3GXK IPP084N16L3GXKSA1 SP000680838，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为50 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP084N06L，带有infineon制造的电路图。IPP084N06L采用TO220封装，是FET的一部分-单个。
IPP84N06L3G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP084N06L3G提供TO-220封装，是FET的一部分-单个。
