9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFI730GPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFI730GPBF参考价格为2.26000美元。Vishay Siliconix IRFI730GPBF封装/规格：MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3。您可以下载IRFI730GPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFI644GPBF是MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供40 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为24纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为280mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IRFI720G是由IR制造的MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP。IRFI720G提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH400V 2.6A TO 220FP、N沟道400V 2.6A（Tc）30W（Tc。
IRFI730G是由IR制造的MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP。IRFI730G可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH400V 3.7A TO 220FP、N通道400V 3.7A（Tc）35W（Tc。
