APT60M60JFLL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 694W (Tc) 供应商设备包装: 同位素 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 699.88142 699.88142
100+ 643.06087 64306.08770
  • 库存: 270
  • 单价: ¥643.02466
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥699.88
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 70A (Tc)
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 SOT-227-4,迷你超直瞄
  • 供应商设备包装 同位素
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 5毫安
  • 最大功耗 694W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 60毫欧姆 @ 35A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 289 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12630 pF@25 V
  • 色彩/颜色 -

APT60M60JFLL 产品详情

Power MOS 7®是新一代低损耗、高电压、N沟道增强型功率MOSFET。功率MOS 7®通过显著降低RDS(ON)和Qg来解决导通和开关损耗。功率MOS 7®结合了较低的传导和开关损耗以及APTs专利金属栅极结构固有的极快的开关速度。

•较低的输入电容
•米勒电容较低
•下栅极电荷,Qg
•功耗增加
•更易于驾驶
•受欢迎的SOT-227软件包
•快速恢复体二极管

APT60M60JFLL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),APT60M60JFLL 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。APT60M60JFLL价格参考¥643.024662,你可以下载 APT60M60JFLL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APT60M60JFLL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...

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