9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BUZ30AH3045A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BUZ30AH3045A参考价格为0.68000美元。Infineon Technologies BUZ30AH3045A封装/规格：BUZ30-12V-300V N通道电源。您可以下载BUZ30AH3045A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BUZ30AH3045A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BUZ30A H3045A是MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2，包括BUZ30系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BUZ30AH33045AATMA1 BUZ30AH13045AXT SP000736082，提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为125 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极源极导通电阻为130mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为250nS。
BUZ30A L3045A是MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为250 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在70 ns上升时间内提供，器件具有130 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为125 W，零件别名为BUZ30AL3045AXT，封装为卷轴，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为21A，下降时间为90ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
BUZ30A H是MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3，包括单一配置，它们设计为在21 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，封装为Tube，该器件以BUZ30AHXK BUZ30AXKSA1 SP000682990零件别名提供，该器件具有125 W的Pd功耗，漏极电阻Rds为130 mOhms，系列为BUZ30，技术为Si，商品名为SIPMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为20V。
