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IPP80N03S4L03AKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 17.16567 17.16567
10+ 15.42013 154.20134
100+ 12.39405 1239.40500
500+ 10.18322 5091.61400
1000+ 9.69824 9698.24300
  • 库存: 576
  • 单价: ¥17.16567
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.17
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 供应商设备包装 PG-TO220-3-1
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 140 nC@10 V
  • 最大功耗 136W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9750 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.7毫欧姆@80A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@90A.
  • 色彩/颜色 不锈钢

IPP80N03S4L03AKSA1 产品详情

英飞凌OptiMOS™ T2功率MOSFET

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N通道-增强模式
AEC合格
MSL1最高260°C峰值回流
175°C工作温度
绿色产品(符合RoHS)

IPP80N03S4L03AKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPP80N03S4L03AKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPP80N03S4L03AKSA1价格参考¥17.165673,你可以下载 IPP80N03S4L03AKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPP80N03S4L03AKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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