FCD5N60-F085
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 54W (Tj) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 434
- 库存: 57500
- 单价: ¥4.99760
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,168.96
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规格参数
- 长(英寸) -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC@10 V
- 供应商设备包装 TO-252AA
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.6A (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 570 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 1.1欧姆@4.6A,10V
- 最大功耗 54W (Tj)
- 色彩/颜色 黑色
FCD5N60-F085 产品详情
Fairchild FCD5N60_F085 N沟道SuperFET是新一代高压MOSFET,采用先进的电荷平衡机制,具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进的技术已被定制为最小化传导损耗,提供优异的开关性能,并承受极端的dv/dt速率和更高的雪崩能量。SuperFET适用于各种汽车DC/DC电源转换。
FCD5N60-F085所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCD5N60-F085 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCD5N60-F085价格参考¥4.997601,你可以下载 FCD5N60-F085中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCD5N60-F085规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...