9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDP8D5N10C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDP8D5N10C参考价格为2.40000美元。onsemi FDP8D5N10C封装/规格：MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3。您可以下载FDP8D5N10C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDP8443_F085带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.063493盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供188 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.5 ns，上升时间为17.9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极漏极-漏极电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为18.4ns，沟道模式为增强。
FDP8447L是MOSFET N-CH 40V 12A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为28 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为7 ns，器件的漏极电阻为8.7 mOhms，Pd功耗为2 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为4 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDP86363，电路图由FSC制造。FDP86363在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 110A TO-220。
