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IPP114N12N3 G是MOSFET N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPP114N1 2N3GXK IPP114N 2N3GXKSA1 SP000652740,提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装样式设计用于通孔,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为136 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为7 ns,上升时间为36 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为75A,Vds漏极-源极击穿电压为120V,Rds漏极源极导通电阻为11.4mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为30nS,Qg栅极电荷为49nC。
IPP111N15N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计用于N沟道三极管极性,产品名称显示在数据表注释中,用于OptiMOS,提供Si等技术特性,系列设计用于XPP111N15,以及G IPP11N15N3 IPP111N5N3GXK SP000677860部件别名,该装置也可以用作管包装。此外,包装箱为TO-220-3,设备提供1信道数信道。
IPP114N03L G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3。IPP114N03L G采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3,N沟道30V 30V(Tc)38W(Tc)通孔PG-TO-220-3。
IPP114N12N3G是FEELING制造的MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3。IPP114N12N3G采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3。