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PSMN3R8-100BS是MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK,包括磁带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计用于to-263-3、D2PAK(2引线+接线片)、to-263AB封装盒,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于D2PAK,除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外,该器件还可以用作306W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为100V,该器件提供9900pF@50V输入电容Ciss Vds,该器件具有FET特性标准,25°C的电流连续漏极Id为120A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为3.9mOhm@25A,10V,Vgs th最大Id为4V@1mA,栅极电荷Qg Vgs为170nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN3R8-30LL。PSMN3R8-30LL在QFN封装中提供,是FET的一部分-单个。
PSMN3R9-25MLC,115,带有NXP制造的电路图。PSMN3R9-25MLC,115可在LFPAK33封装中获得,是IC芯片的一部分,N沟道25V 70A(Tc)69W(Tc)表面贴装LFPAK3,Trans MOSFET N-CH 25V 70B 8引脚LFPAK EP T/R,MOSFET N沟道MOSFET逻辑电平LFPAK34。