该器件是一种采用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET,通过优化ST基于条形的PowerMESH布局实现。除了导通电阻的显著降低外,该器件的设计确保了在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
特色
- 极高的dv/dt能力
- 网关费用最小化
- 100%雪崩测试
- Verylowintrinsic电容
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 19.84554 | 19.84554 |
10+ | 17.81029 | 178.10291 |
100+ | 14.31631 | 1431.63160 |
500+ | 11.76189 | 5880.94500 |
1000+ | 10.69269 | 10692.69300 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
该器件是一种采用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET,通过优化ST基于条形的PowerMESH布局实现。除了导通电阻的显著降低外,该器件的设计确保了在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...