9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBF20PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBF20PBF-BE3参考价格$2.52000。Vishay Siliconix IRFBF20PBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB。您可以下载IRFBF20PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFBF20LPBF是MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262，包括管封装，其设计为单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装盒功能，如I2PAK-3，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds漏极漏极-漏极电阻为8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
IRFBE30SPBF是MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为82 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为33 ns，器件的漏极-源极电阻为3欧姆，Pd功耗为125 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.1 A，下降时间为30 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFBF20是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB。IRFBF220可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH900V 1.7A-TO-220AA、N沟道900V 1.7V（Tc）54W（Tc）通孔TO-220AC。
IRFBF20L是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262。IRFBF20 L可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH900V 1.7A-TO-262、N沟道900V 1.7V（Tc）3.1W（Ta）、54W（Tc）通孔I2PAK。
