9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBC40APBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBC40APBF-BE3参考价格为2.61000美元。Vishay Siliconix IRFBC40APBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB。您可以下载IRFBC40APBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFBC40是MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为6.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
IRFBC30STRLPBF是MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为13 ns，器件的漏极-源极电阻为2.2欧姆，Pd功耗为3.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3.6A，下降时间为14ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFBC40A是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB。IRFBC40ATO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 6.2A TO-220AB，N通道600V 6.2A（Tc）125W（Tc。
