9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP9NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP9NM60N价格参考2.57000美元。STMicroelectronics STP9NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB。您可以下载STP9NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP9NK90Z是MOSFET N-CH 900V 8A TO-220，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有160 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为8 a，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为22ns，沟道模式为增强型。
STP9NK90ZFP带有ST制造的用户指南。STP9NK90 ZFP采用TO220F封装，是IC芯片的一部分。
STP9NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220。STP9NM500N采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH500V 7.5A TO-220，N通道500V 5A（Tc）70W（Tc）通孔TO-220AB。
